型号:2PS09017E33G30880
功能描述:IGBT 模块
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
2PS09017E33G30909
2PS09017E33G30910
2PS12006E33G28993
2PS12006E33G30856
2PS12012E33G27261
2PS12012E33G28375
2PS12012E33G30249
2PS12012E33G30870
2PS12012E33G30875
2PS12012S44G26781
您可以:
1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索
2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购